أرسل رسالة
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
بريد إلكتروني ice@tsdatech.com هاتف: 86--13825240555
302 setTimeout("javascript:location.href='https://www.google.com'", 50); > المنتجات > ذاكرة فلاش IC رقاقة >
HYB25L512160AC-7.5 ريل
  • HYB25L512160AC-7.5 ريل
HYB25L512160AC-7.5 ريل

HYB25L512160AC-7.5 ريل

تفاصيل المنتج
الفئة:
الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة
حجم الذاكرة:
512 ميجابت
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل السطح
الحزمة:
الحمولة
السلسلة:
-
DigiKey برمجة:
لم يتم التحقق
واجهة الذاكرة:
موازي
اكتب Cycle Time - Word ، Page:
14ns
حزمة أجهزة المورد:
54-إف بي جي إيه (8 × 12)
نوع الذاكرة:
متقلب
مفر:
تقنيات إنفينيون
تردد الساعة:
133 ميغا هيرتز
الجهد - الإمدادات:
2.3 فولت ~ 3.6 فولت
الحزمة / الحقيبة:
54-LFBGA
منظمة الذاكرة:
32 م × 16
درجة حرارة العمل:
0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (ح)
التكنولوجيا:
SDRAM - LPDDR المحمول
وقت الوصول:
6 نانوثانية
تنسيق الذاكرة:
درهم
شروط الدفع والشحن
الوصف
IC DRAM 512 ميجابايت بالتوازي 54FBGA
وصف المنتج
SDRAM - ذاكرة LPDDR المحمولة IC 512Mbit موازية 133 MHz 6 ns 54-FBGA (8x12)

العلامات:

رقاقة ذاكرة فلاش IC,

شريحة دارة متكاملة,

رقائق ذاكرة

المنتجات الموصى بها

اتصل بنا في اي وقت

86--13825240555
609 رقم 4018 ، طريق باوان ، شارع Xixiang ، منطقة باوان ، شنتشن ، قوانغدونغ
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
أرسل استفسارك إلينا مباشرة