أرسل رسالة
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
بريد إلكتروني ice@tsdatech.com هاتف: 86--13825240555
302 setTimeout("javascript:location.href='https://www.google.com'", 50); > المنتجات > ذاكرة فلاش IC رقاقة >
AS4C16M32MSA-6BINTR
  • AS4C16M32MSA-6BINTR
AS4C16M32MSA-6BINTR

AS4C16M32MSA-6BINTR

تفاصيل المنتج
الفئة:
الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة
حجم الذاكرة:
512 ميجابت
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل السطح
الحزمة:
الشريط والفكرة (TR)
السلسلة:
-
DigiKey برمجة:
لم يتم التحقق
واجهة الذاكرة:
موازي
اكتب Cycle Time - Word ، Page:
15ns
حزمة أجهزة المورد:
90-إف بي جي إيه (8 × 13)
نوع الذاكرة:
متقلب
مفر:
Alliance Memory، Inc.
تردد الساعة:
166 ميغا هيرتز
الجهد - الإمدادات:
1.7 فولت ~ 1.95 فولت
وقت الوصول:
5.4 نانوثانية
الحزمة / الحقيبة:
90-VFBGA
منظمة الذاكرة:
16 م × 32
درجة حرارة العمل:
-40°C ~ 85°C (TA)
التكنولوجيا:
SDRAM - SDRAM المحمول
رقم المنتج الأساسي:
AS4C16
تنسيق الذاكرة:
درهم
شروط الدفع والشحن
الوصف
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA
وصف المنتج
SDRAM - ذاكرة SDRAM المحمولة IC 512Mbit متوازية 166 MHz 5.4 ns 90-FBGA (8x13)

العلامات:

رقاقة ذاكرة فلاش IC,

شريحة دارة متكاملة,

رقائق ذاكرة

المنتجات الموصى بها

اتصل بنا في اي وقت

86--13825240555
609 رقم 4018 ، طريق باوان ، شارع Xixiang ، منطقة باوان ، شنتشن ، قوانغدونغ
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
أرسل استفسارك إلينا مباشرة