أرسل رسالة
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
بريد إلكتروني ice@tsdatech.com هاتف: 86--13825240555
302 setTimeout("javascript:location.href='https://www.google.com'", 50); > المنتجات > ذاكرة فلاش IC رقاقة >
IS66WVC4M16EALL-7010BLI
  • IS66WVC4M16EALL-7010BLI
IS66WVC4M16EALL-7010BLI

IS66WVC4M16EALL-7010BLI

تفاصيل المنتج
الفئة:
الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل السطح
الحزمة:
الصندوق
السلسلة:
-
DigiKey برمجة:
لم يتم التحقق
واجهة الذاكرة:
موازي
اكتب Cycle Time - Word ، Page:
70ns
حزمة أجهزة المورد:
54-VFBGA (6x8)
نوع الذاكرة:
متقلب
مفر:
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc
حجم الذاكرة:
64 ميجابت
الجهد - الإمدادات:
1.7 فولت ~ 1.95 فولت
وقت الوصول:
70 نانوثانية
الحزمة / الحقيبة:
54-VFBGA
منظمة الذاكرة:
4 م × 16
درجة حرارة العمل:
-40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (ح)
التكنولوجيا:
PSRAM (Pseudo SRAM)
رقم المنتج الأساسي:
IS66WVC4M16
تنسيق الذاكرة:
PSRAM
شروط الدفع والشحن
الوصف
IC PSRAM 64 ميجابايت بالتوازي 54VFBGA
وصف المنتج
PSRAM (SRAM الزائفة) ذاكرة IC 64Mbit متوازية 70 ns 54-VFBGA (6x8)

العلامات:

رقاقة ذاكرة فلاش IC,

شريحة دارة متكاملة,

رقائق ذاكرة

المنتجات الموصى بها

اتصل بنا في اي وقت

86--13825240555
609 رقم 4018 ، طريق باوان ، شارع Xixiang ، منطقة باوان ، شنتشن ، قوانغدونغ
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
أرسل استفسارك إلينا مباشرة