أرسل رسالة
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
بريد إلكتروني ice@tsdatech.com هاتف: 86--13825240555
302 setTimeout("javascript:location.href='https://www.google.com'", 50); > المنتجات > ذاكرة فلاش IC رقاقة >
AS7C325632-10BIN
  • AS7C325632-10BIN
AS7C325632-10BIN

AS7C325632-10BIN

تفاصيل المنتج
الفئة:
الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل السطح
الحزمة:
الصندوق
السلسلة:
-
DigiKey برمجة:
لم يتم التحقق
واجهة الذاكرة:
موازي
اكتب Cycle Time - Word ، Page:
10ns
حزمة أجهزة المورد:
90-TFBGA (8 × 13)
نوع الذاكرة:
متقلب
مفر:
Alliance Memory، Inc.
حجم الذاكرة:
8 ميجابت
الجهد - الإمدادات:
2.7 فولت ~ 3.6 فولت
وقت الوصول:
10 نانوثانية
الحزمة / الحقيبة:
90-TFBGA
منظمة الذاكرة:
1 م × 8
درجة حرارة العمل:
-40°C ~ 85°C (TA)
التكنولوجيا:
SRAM - غير متزامن
رقم المنتج الأساسي:
AS7C325632
تنسيق الذاكرة:
SRAM
شروط الدفع والشحن
الوصف
IC SRAM 8 ميجابايت بالتوازي 90TFBGA
وصف المنتج
SRAM - ذاكرة غير متزامنة IC 8Mbit موازية 10 ns 90-TFBGA (8x13)

العلامات:

رقاقة ذاكرة فلاش IC,

شريحة دارة متكاملة,

رقائق ذاكرة

المنتجات الموصى بها

اتصل بنا في اي وقت

86--13825240555
609 رقم 4018 ، طريق باوان ، شارع Xixiang ، منطقة باوان ، شنتشن ، قوانغدونغ
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
أرسل استفسارك إلينا مباشرة