أرسل رسالة
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
بريد إلكتروني ice@tsdatech.com هاتف: 86--13825240555
302 setTimeout("javascript:location.href='https://www.google.com'", 50); > المنتجات > ذاكرة فلاش IC رقاقة >
GS82583ED18GK-625I
  • GS82583ED18GK-625I
GS82583ED18GK-625I

GS82583ED18GK-625I

تفاصيل المنتج
الفئة:
الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة
حجم الذاكرة:
288 ميغابت
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل السطح
الحزمة:
الصندوق
السلسلة:
-
DigiKey برمجة:
لم يتم التحقق
واجهة الذاكرة:
موازي
اكتب Cycle Time - Word ، Page:
-
حزمة أجهزة المورد:
260-بيغا (22x14)
نوع الذاكرة:
متقلب
مفر:
شركة جي إس آي للتكنولوجيا
تردد الساعة:
675 ميجا هرتز
الجهد - الإمدادات:
1.25 فولت ~ 1.35 فولت
الحزمة / الحقيبة:
260-بغا
منظمة الذاكرة:
16 م × 18
درجة حرارة العمل:
-40 درجة مئوية ~ 100 درجة مئوية (TJ)
التكنولوجيا:
SRAM - منفذ رباعي، متزامن
رقم المنتج الأساسي:
GS82583ED18
تنسيق الذاكرة:
SRAM
شروط الدفع والشحن
الوصف
IC SRAM 288 ميجا بايت بار 260 جيجا بايت
وصف المنتج
SRAM - منفذ رباعي ، ذاكرة متزامنة IC 288Mbit موازية 675 ميغاهرتز 260-BGA (22x14)

العلامات:

رقاقة ذاكرة فلاش IC,

شريحة دارة متكاملة,

رقائق ذاكرة

المنتجات الموصى بها

اتصل بنا في اي وقت

86--13825240555
609 رقم 4018 ، طريق باوان ، شارع Xixiang ، منطقة باوان ، شنتشن ، قوانغدونغ
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
أرسل استفسارك إلينا مباشرة