أرسل رسالة
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
بريد إلكتروني ice@tsdatech.com هاتف: 86--13825240555
302 setTimeout("javascript:location.href='https://www.google.com'", 50); > المنتجات > ذاكرة فلاش IC رقاقة >
70V658S12BFI8
  • 70V658S12BFI8
70V658S12BFI8

70V658S12BFI8

تفاصيل المنتج
الفئة:
الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل السطح
الحزمة:
الشريط والفكرة (TR)
السلسلة:
-
DigiKey برمجة:
لم يتم التحقق
واجهة الذاكرة:
موازي
اكتب Cycle Time - Word ، Page:
12ns
حزمة أجهزة المورد:
208-كابجا (15x15)
نوع الذاكرة:
متقلب
مفر:
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
حجم الذاكرة:
2 ميجابت
الجهد - الإمدادات:
3.15 فولت ~ 3.45 فولت
وقت الوصول:
12 نانوثانية
الحزمة / الحقيبة:
208-LFBGA
منظمة الذاكرة:
64 كيلو × 36
درجة حرارة العمل:
-40°C ~ 85°C (TA)
التكنولوجيا:
SRAM - منفذ مزدوج، غير متزامن
رقم المنتج الأساسي:
70V658
تنسيق الذاكرة:
SRAM
شروط الدفع والشحن
الوصف
IC SRAM 2 ميجابايت بالتوازي 208CABGA
وصف المنتج
SRAM - منفذ مزدوج ، ذاكرة IC غير متزامنة 2Mbit متوازية 12 ns 208-CABGA (15x15)

العلامات:

رقاقة ذاكرة فلاش IC,

شريحة دارة متكاملة,

رقائق ذاكرة

المنتجات الموصى بها

اتصل بنا في اي وقت

86--13825240555
609 رقم 4018 ، طريق باوان ، شارع Xixiang ، منطقة باوان ، شنتشن ، قوانغدونغ
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
أرسل استفسارك إلينا مباشرة