أرسل رسالة
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
بريد إلكتروني ice@tsdatech.com هاتف: 86--13825240555
  • 70V3569S4BC

70V3569S4BC

تفاصيل المنتج
الفئة:
الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل السطح
الحزمة:
الصندوق
السلسلة:
-
DigiKey برمجة:
لم يتم التحقق
واجهة الذاكرة:
موازي
اكتب Cycle Time - Word ، Page:
-
حزمة أجهزة المورد:
256 كابجا (17 × 17)
نوع الذاكرة:
متقلب
مفر:
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
حجم الذاكرة:
576 كيلوبت
الجهد - الإمدادات:
3.15 فولت ~ 3.45 فولت
وقت الوصول:
4.2 نانوثانية
الحزمة / الحقيبة:
256-LBGA
منظمة الذاكرة:
16 ك × 36
درجة حرارة العمل:
0°C ~ 70°C (TA)
التكنولوجيا:
SRAM - منفذ مزدوج، متزامن
رقم المنتج الأساسي:
70V3569
تنسيق الذاكرة:
SRAM
شروط الدفع والشحن
الوصف
IC SRAM 576KBIT PAR 256CABGA
وصف المنتج
SRAM - منفذ مزدوج ، ذاكرة متزامنة IC 576Kbit متوازية 4.2 ns 256-CABGA (17x17)

اتصل بنا في اي وقت

86--13825240555
609 رقم 4018 ، طريق باوان ، شارع Xixiang ، منطقة باوان ، شنتشن ، قوانغدونغ
أرسل استفسارك إلينا مباشرة