أرسل رسالة
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
بريد إلكتروني ice@tsdatech.com هاتف: 86--13825240555
  • DS1270Y-70IND #

DS1270Y-70IND #

تفاصيل المنتج
الفئة:
الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
من خلال الثقب
الحزمة:
أنبوب
السلسلة:
-
DigiKey برمجة:
لم يتم التحقق
واجهة الذاكرة:
موازي
اكتب Cycle Time - Word ، Page:
70ns
حزمة أجهزة المورد:
36- EDIP
نوع الذاكرة:
غير متطاير
مفر:
أجهزة التناظرية Inc./Maxim Integrated
حجم الذاكرة:
16 ميجابت
الجهد - الإمدادات:
4.5 فولت ~ 5.5 فولت
وقت الوصول:
70 نانوثانية
الحزمة / الحقيبة:
وحدة 36-DIP (0.610 بوصة، 15.49 ملم)
منظمة الذاكرة:
2 م × 8
درجة حرارة العمل:
-40°C ~ 85°C (TA)
التكنولوجيا:
NVSRAM (ذاكرة SRAM غير المتطايرة)
رقم المنتج الأساسي:
DS1270Y
تنسيق الذاكرة:
NVSRAM
شروط الدفع والشحن
الوصف
IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
وصف المنتج
NVSRAM (SRAM غير المتطايرة) ذاكرة IC 16Mbit متوازية 70 ns 36-EDIP

اتصل بنا في اي وقت

86--13825240555
609 رقم 4018 ، طريق باوان ، شارع Xixiang ، منطقة باوان ، شنتشن ، قوانغدونغ
أرسل استفسارك إلينا مباشرة