أرسل رسالة
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
بريد إلكتروني ice@tsdatech.com هاتف: 86--13825240555
302 setTimeout("javascript:location.href='https://www.google.com'", 50); > المنتجات > ذاكرة فلاش IC رقاقة >
70T3509MS133BP
  • 70T3509MS133BP
70T3509MS133BP

70T3509MS133BP

تفاصيل المنتج
الفئة:
الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة
حجم الذاكرة:
36 ميغابت
حالة المنتج:
آخر مرة شراء
نوع التثبيت:
جبل السطح
الحزمة:
الصندوق
السلسلة:
-
DigiKey برمجة:
لم يتم التحقق
واجهة الذاكرة:
موازي
اكتب Cycle Time - Word ، Page:
-
حزمة أجهزة المورد:
256 كابجا (17 × 17)
نوع الذاكرة:
متقلب
مفر:
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
تردد الساعة:
133 ميغا هيرتز
الجهد - الإمدادات:
2.4 فولت ~ 2.6 فولت
وقت الوصول:
4.2 نانوثانية
الحزمة / الحقيبة:
256 بغا
منظمة الذاكرة:
1 م × 36
درجة حرارة العمل:
0°C ~ 70°C (TA)
التكنولوجيا:
SRAM - منفذ مزدوج، متزامن
رقم المنتج الأساسي:
70T3509
تنسيق الذاكرة:
SRAM
شروط الدفع والشحن
الوصف
IC SRAM 36 ميجا بايت بار 256 كابجا
وصف المنتج
SRAM - منفذ مزدوج ، ذاكرة متزامنة IC 36Mbit موازية 133 MHz 4.2 ns 256-CABGA (17x17)

العلامات:

رقاقة ذاكرة فلاش IC,

شريحة دارة متكاملة,

رقائق ذاكرة

المنتجات الموصى بها

اتصل بنا في اي وقت

86--13825240555
609 رقم 4018 ، طريق باوان ، شارع Xixiang ، منطقة باوان ، شنتشن ، قوانغدونغ
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
أرسل استفسارك إلينا مباشرة