أرسل رسالة
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
بريد إلكتروني ice@tsdatech.com هاتف: 86--13825240555
302 setTimeout("javascript:location.href='https://www.google.com'", 50); > المنتجات > ذاكرة فلاش IC رقاقة >
70T3339S133BFI
  • 70T3339S133BFI
70T3339S133BFI

70T3339S133BFI

تفاصيل المنتج
الفئة:
الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة
حجم الذاكرة:
9 ميغابت
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل السطح
الحزمة:
الصندوق
السلسلة:
-
DigiKey برمجة:
لم يتم التحقق
واجهة الذاكرة:
موازي
اكتب Cycle Time - Word ، Page:
-
حزمة أجهزة المورد:
208-كابجا (15x15)
نوع الذاكرة:
متقلب
مفر:
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
تردد الساعة:
133 ميغا هيرتز
الجهد - الإمدادات:
2.4 فولت ~ 2.6 فولت
وقت الوصول:
4.2 نانوثانية
الحزمة / الحقيبة:
208-LFBGA
منظمة الذاكرة:
512 كيلو × 18
درجة حرارة العمل:
-40°C ~ 85°C (TA)
التكنولوجيا:
SRAM - منفذ مزدوج، متزامن
رقم المنتج الأساسي:
70T3339
تنسيق الذاكرة:
SRAM
شروط الدفع والشحن
الوصف
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA
وصف المنتج
SRAM - منفذ مزدوج ، ذاكرة متزامنة IC 9Mbit موازية 133 MHz 4.2 ns 208-CABGA (15x15)

العلامات:

رقاقة ذاكرة فلاش IC,

شريحة دارة متكاملة,

رقائق ذاكرة

المنتجات الموصى بها

اتصل بنا في اي وقت

86--13825240555
609 رقم 4018 ، طريق باوان ، شارع Xixiang ، منطقة باوان ، شنتشن ، قوانغدونغ
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
أرسل استفسارك إلينا مباشرة