أرسل رسالة
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
بريد إلكتروني ice@tsdatech.com هاتف: 86--13825240555
302 setTimeout("javascript:location.href='https://www.google.com'", 50); > المنتجات > ذاكرة فلاش IC رقاقة >
CY14B101Q2-LHXIT
  • CY14B101Q2-LHXIT
CY14B101Q2-LHXIT

CY14B101Q2-LHXIT

تفاصيل المنتج
الفئة:
الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة
حجم الذاكرة:
1 ميجابت
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل السطح
الحزمة:
الشريط والفكرة (TR)
السلسلة:
-
DigiKey برمجة:
لم يتم التحقق
واجهة الذاكرة:
SPI
اكتب Cycle Time - Word ، Page:
-
حزمة أجهزة المورد:
8-DFN (5 × 6)
نوع الذاكرة:
غير متطاير
مفر:
تقنيات إنفينيون
تردد الساعة:
40 ميغاهرتز
الجهد - الإمدادات:
2.7 فولت ~ 3.6 فولت
الحزمة / الحقيبة:
8-WDFN وسادة مكشوفة
منظمة الذاكرة:
128 كيلو × 8
درجة حرارة العمل:
-40°C ~ 85°C (TA)
التكنولوجيا:
NVSRAM (ذاكرة SRAM غير المتطايرة)
رقم المنتج الأساسي:
CY14B101
تنسيق الذاكرة:
NVSRAM
شروط الدفع والشحن
الوصف
إيك NVSRAM 1 ميجابايت SPI 40 ميجا هرتز 8DFN
وصف المنتج
NVSRAM (SRAM غير المتطايرة) ذاكرة IC 1Mbit SPI 40 MHz 8-DFN (5x6)

العلامات:

رقاقة ذاكرة فلاش IC,

شريحة دارة متكاملة,

رقائق ذاكرة

المنتجات الموصى بها

اتصل بنا في اي وقت

86--13825240555
609 رقم 4018 ، طريق باوان ، شارع Xixiang ، منطقة باوان ، شنتشن ، قوانغدونغ
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
أرسل استفسارك إلينا مباشرة