أرسل رسالة
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
بريد إلكتروني ice@tsdatech.com هاتف: 86--13825240555
302 setTimeout("javascript:location.href='https://www.google.com'", 50); > المنتجات > ذاكرة فلاش IC رقاقة >
CYDM064B16-55BVXI
  • CYDM064B16-55BVXI
CYDM064B16-55BVXI

CYDM064B16-55BVXI

تفاصيل المنتج
الفئة:
الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة
حالة المنتج:
قديمة
نوع التثبيت:
جبل السطح
الحزمة:
الصندوق
السلسلة:
MoBL®
DigiKey برمجة:
لم يتم التحقق
واجهة الذاكرة:
موازي
اكتب Cycle Time - Word ، Page:
55ns
حزمة أجهزة المورد:
100-VFBGA (6 × 6)
نوع الذاكرة:
متقلب
مفر:
شركة السرو لأشباه الموصلات
حجم الذاكرة:
64 كيلو بايت
الجهد - الإمدادات:
1.7 فولت ~ 1.9 فولت، 2.4 فولت ~ 2.6 فولت، 2.7 فولت ~ 3.3 فولت
وقت الوصول:
55 نانوثانية
الحزمة / الحقيبة:
100-VFBGA
منظمة الذاكرة:
دقة 4K × 16
درجة حرارة العمل:
-40°C ~ 85°C (TA)
التكنولوجيا:
SRAM - منفذ مزدوج، MoBL
رقم المنتج الأساسي:
سيدم
تنسيق الذاكرة:
SRAM
شروط الدفع والشحن
الوصف
IC SRAM 64 كيلو بايت متوازي 100VFBGA
وصف المنتج
SRAM - منفذ مزدوج ، ذاكرة MoBL IC 64Kbit متوازية 55 ns 100-VFBGA (6x6)

العلامات:

رقاقة ذاكرة فلاش IC,

شريحة دارة متكاملة,

رقائق ذاكرة

المنتجات الموصى بها

اتصل بنا في اي وقت

86--13825240555
609 رقم 4018 ، طريق باوان ، شارع Xixiang ، منطقة باوان ، شنتشن ، قوانغدونغ
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
أرسل استفسارك إلينا مباشرة