أرسل رسالة
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
بريد إلكتروني ice@tsdatech.com هاتف: 86--13825240555
302 setTimeout("javascript:location.href='https://www.google.com'", 50); > المنتجات > ذاكرة فلاش IC رقاقة >
R1LV0216BSB-5SI#B1
  • R1LV0216BSB-5SI#B1
R1LV0216BSB-5SI#B1

R1LV0216BSB-5SI#B1

تفاصيل المنتج
الفئة:
الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل السطح
الحزمة:
أنبوب
السلسلة:
-
DigiKey برمجة:
لم يتم التحقق
واجهة الذاكرة:
موازي
اكتب Cycle Time - Word ، Page:
55ns
حزمة أجهزة المورد:
44-TSOP II
نوع الذاكرة:
متقلب
مفر:
(رينيساس إلكترونيكس أمريكا)
حجم الذاكرة:
2 ميجابت
الجهد - الإمدادات:
2.7 فولت ~ 3.6 فولت
وقت الوصول:
55 نانوثانية
الحزمة / الحقيبة:
44-TSOP (0.400 بوصة ، عرض 10.16 ملم)
منظمة الذاكرة:
128 كيلو × 16
درجة حرارة العمل:
-40°C ~ 85°C (TA)
التكنولوجيا:
SRAM
رقم المنتج الأساسي:
R1LV0216
تنسيق الذاكرة:
SRAM
شروط الدفع والشحن
الوصف
IC SRAM 2 ميجا بايت بالتوازي 44TSOP II
وصف المنتج
ذاكرة SRAM IC 2Mbit متوازية 55 ns 44-TSOP II

العلامات:

رقاقة ذاكرة فلاش IC,

شريحة دارة متكاملة,

رقائق ذاكرة

المنتجات الموصى بها

اتصل بنا في اي وقت

86--13825240555
609 رقم 4018 ، طريق باوان ، شارع Xixiang ، منطقة باوان ، شنتشن ، قوانغدونغ
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
أرسل استفسارك إلينا مباشرة