أرسل رسالة
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
بريد إلكتروني ice@tsdatech.com هاتف: 86--13825240555
302 setTimeout("javascript:location.href='https://www.google.com'", 50); > المنتجات > ذاكرة فلاش IC رقاقة >
AT21CS11-MSH10-B
  • AT21CS11-MSH10-B
AT21CS11-MSH10-B

AT21CS11-MSH10-B

تفاصيل المنتج
الفئة:
الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة
حجم الذاكرة:
1Kbit
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل السطح
الحزمة:
الصندوق
السلسلة:
-
DigiKey برمجة:
لم يتم التحقق
واجهة الذاكرة:
I²C، سلك واحد
اكتب Cycle Time - Word ، Page:
5 مللي ثانية
حزمة أجهزة المورد:
2-XSFN (5x3.5)
نوع الذاكرة:
غير متطاير
مفر:
تقنية الرقائق الدقيقة
تردد الساعة:
125 كيلو بايت في الثانية
الجهد - الإمدادات:
2.7 فولت ~ 4.5 فولت
الحزمة / الحقيبة:
2-SMD ، لا يؤدي
منظمة الذاكرة:
128 × 8
درجة حرارة العمل:
-40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (ح)
التكنولوجيا:
إيبروم
رقم المنتج الأساسي:
AT21CS11
تنسيق الذاكرة:
إيبروم
شروط الدفع والشحن
الوصف
إي سي إيبروم 1KBIT I2C 125 كيلو هرتز 2XSFN
وصف المنتج
ذاكرة EEPROM IC 1Kbit I2C ، سلك واحد 125 kbps 2-XSFN (5x3.5)

العلامات:

رقاقة ذاكرة فلاش IC,

شريحة دارة متكاملة,

رقائق ذاكرة

المنتجات الموصى بها

اتصل بنا في اي وقت

86--13825240555
609 رقم 4018 ، طريق باوان ، شارع Xixiang ، منطقة باوان ، شنتشن ، قوانغدونغ
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
أرسل استفسارك إلينا مباشرة