أرسل رسالة
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
بريد إلكتروني ice@tsdatech.com هاتف: 86--13825240555
  • CY7C199D-10VXIT

CY7C199D-10VXIT

تفاصيل المنتج
الفئة:
الدوائر المتكاملة الذاكرة الذاكرة
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل السطح
الحزمة:
الشريط والفكرة (TR) شريط قطع (CT) ديجي ريل®
السلسلة:
-
DigiKey برمجة:
لم يتم التحقق
واجهة الذاكرة:
موازي
اكتب Cycle Time - Word ، Page:
10ns
حزمة أجهزة المورد:
28-SOJ
نوع الذاكرة:
متقلب
مفر:
تقنيات إنفينيون
حجم الذاكرة:
256 كيلو بايت
الجهد - الإمدادات:
4.5 فولت ~ 5.5 فولت
وقت الوصول:
10 نانوثانية
الحزمة / الحقيبة:
28-BSOJ (0.300 بوصة ، عرض 7.62 ملم)
منظمة الذاكرة:
32 كيلو × 8
درجة حرارة العمل:
-40°C ~ 85°C (TA)
التكنولوجيا:
SRAM - غير متزامن
رقم المنتج الأساسي:
CY7C199
تنسيق الذاكرة:
SRAM
شروط الدفع والشحن
الوصف
IC SRAM 256 كيلوبت بالتوازي 28SOJ
وصف المنتج
SRAM - ذاكرة غير متزامنة IC 256Kbit متوازية 10 ns 28-SOJ

اتصل بنا في اي وقت

86--13825240555
609 رقم 4018 ، طريق باوان ، شارع Xixiang ، منطقة باوان ، شنتشن ، قوانغدونغ
أرسل استفسارك إلينا مباشرة