أرسل رسالة
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
بريد إلكتروني ice@tsdatech.com هاتف: 86--13825240555
302 setTimeout("javascript:location.href='https://www.google.com'", 50); > المنتجات > رقاقة IC الترانزستور >
أبت50GR120JD30
  • أبت50GR120JD30
أبت50GR120JD30

أبت50GR120JD30

تفاصيل المنتج
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات IGBTs وحدات IGBT
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى):
84 أ
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل الهيكل
حزمة:
أنبوب
السلسلة:
-
الحزمة / الحقيبة:
SOT-227-4
Vce (on) (Max) @ Vge، Ic:
3.2 فولت @ 15 فولت، 50 أمبير
الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى):
1200 فولت
حزمة أجهزة المورد:
سوت -227
مفر:
تقنية الرقائق الدقيقة
درجة حرارة العمل:
-55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (TJ)
التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى):
1.1 مللي أمبير
نوع IGBT:
معاهدة عدم الانتشار
أقصى القوة:
417 واط
المدخلات:
معيار
سعة الإدخال (Cies) @ Vce:
5.55 نانو فاراد عند 25 فولت
إعدادات:
العازب
NTC الثرمستور:
لا..
رقم المنتج الأساسي:
أبت50GR120
شروط الدفع والشحن
مخزون
في الأوراق المالية
طريقة الشحن
LCL ، AIR ، FCL ، Express
الوصف
IGBT وزارة الدفاع 1200V 84A 417W SOT227
شروط الدفع
L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
وصف المنتج
وحدة IGBT NPT واحدة 1200 فولت 84 A 417 واط

العلامات:

رقاقة IC الترانزستور,

رقاقة مدمجة,

رقاقة مضمن SMD

المنتجات الموصى بها

اتصل بنا في اي وقت

86--13825240555
609 رقم 4018 ، طريق باوان ، شارع Xixiang ، منطقة باوان ، شنتشن ، قوانغدونغ
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
أرسل استفسارك إلينا مباشرة