أرسل رسالة
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
بريد إلكتروني ice@tsdatech.com هاتف: 86--13825240555
302 setTimeout("javascript:location.href='https://www.google.com'", 50); > المنتجات > رقاقة IC الترانزستور >
(باي إم 300 بي 170 دي إن 2 هوسا 1)
  • (باي إم 300 بي 170 دي إن 2 هوسا 1)
(باي إم 300 بي 170 دي إن 2 هوسا 1)

(باي إم 300 بي 170 دي إن 2 هوسا 1)

تفاصيل المنتج
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات IGBTs وحدات IGBT
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى):
40 أ
حالة المنتج:
قديمة
نوع التثبيت:
جبل الهيكل
حزمة:
الصندوق
السلسلة:
-
الحزمة / الحقيبة:
وحدة
Vce (on) (Max) @ Vge، Ic:
1.55 فولت @ 15 فولت، 25 أمبير
الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى):
650 فولت
حزمة أجهزة المورد:
وحدة
مفر:
تقنيات إنفينيون
درجة حرارة العمل:
-40 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (TJ)
التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى):
40
نوع IGBT:
توقف حقل الخندق
أقصى القوة:
20 ميغاواط
المدخلات:
معيار
سعة الإدخال (Cies) @ Vce:
2.8 نانو فهرنهايت @ 25 فولت
إعدادات:
2 مستقل
NTC الثرمستور:
نعم..
رقم المنتج الأساسي:
بي إم 300
شروط الدفع والشحن
مخزون
في الأوراق المالية
طريقة الشحن
LCL ، AIR ، FCL ، Express
الوصف
IGBT وزارة الدفاع 650V 40A 20MW
شروط الدفع
L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
وصف المنتج
وحدة IGBT محطة الحقل الحفرة توقف 2 مستقلة 650 فولت 40 A 20 مايو وحدة تركيب الهيكل

العلامات:

رقاقة IC الترانزستور,

رقاقة مدمجة,

رقاقة مضمن SMD

المنتجات الموصى بها

اتصل بنا في اي وقت

86--13825240555
609 رقم 4018 ، طريق باوان ، شارع Xixiang ، منطقة باوان ، شنتشن ، قوانغدونغ
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
أرسل استفسارك إلينا مباشرة