أرسل رسالة
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
بريد إلكتروني ice@tsdatech.com هاتف: 86--13825240555
302 setTimeout("javascript:location.href='https://www.google.com'", 50); > المنتجات > رقاقة IC الترانزستور >
F475R07W1H3B11ABOMA1
  • F475R07W1H3B11ABOMA1
F475R07W1H3B11ABOMA1

F475R07W1H3B11ABOMA1

تفاصيل المنتج
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات IGBTs وحدات IGBT
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى):
37.5 أ
حالة المنتج:
قديمة
نوع التثبيت:
جبل الهيكل
حزمة:
الصندوق
السلسلة:
EasyPACK ™
الحزمة / الحقيبة:
وحدة
Vce (on) (Max) @ Vge، Ic:
1.6 فولت @ 15 فولت، 37.5 أمبير
الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى):
650 فولت
حزمة أجهزة المورد:
وحدة
مفر:
تقنيات إنفينيون
درجة حرارة العمل:
-40 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (TJ)
التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى):
50
نوع IGBT:
توقف حقل الخندق
أقصى القوة:
275 واط
المدخلات:
معيار
سعة الإدخال (Cies) @ Vce:
4.7 نانو فهرنهايت @ 25 فولت
إعدادات:
العاكس جسر كامل
NTC الثرمستور:
نعم..
رقم المنتج الأساسي:
F475R07
شروط الدفع والشحن
مخزون
في الأوراق المالية
طريقة الشحن
LCL ، AIR ، FCL ، Express
الوصف
وحدات IGBT
شروط الدفع
L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
وصف المنتج
وحدة IGBT خندق المجال وقف كامل الجسر عاكس 650 فولت 37.5 A 275 واط وحدة الدفاع عن الهيكل

العلامات:

رقاقة IC الترانزستور,

رقاقة مدمجة,

رقاقة مضمن SMD

المنتجات الموصى بها

اتصل بنا في اي وقت

86--13825240555
609 رقم 4018 ، طريق باوان ، شارع Xixiang ، منطقة باوان ، شنتشن ، قوانغدونغ
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
أرسل استفسارك إلينا مباشرة