أرسل رسالة
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
بريد إلكتروني ice@tsdatech.com هاتف: 86--13825240555
302 setTimeout("javascript:location.href='https://www.google.com'", 50); > المنتجات > رقاقة IC الترانزستور >
FS50R12W1T7B11BOMA1
  • FS50R12W1T7B11BOMA1
FS50R12W1T7B11BOMA1

FS50R12W1T7B11BOMA1

تفاصيل المنتج
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات IGBTs وحدات IGBT
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى):
50 أ
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل الهيكل
حزمة:
الصندوق
السلسلة:
-
Vce (on) (Max) @ Vge، Ic:
-
الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى):
1200 فولت
حزمة أجهزة المورد:
وحدة
مفر:
تقنيات إنفينيون
درجة حرارة العمل:
-40 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية
التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى):
7.9 ميكرو أمبير
نوع IGBT:
-
الحزمة / الحقيبة:
وحدة
المدخلات:
-
سعة الإدخال (Cies) @ Vce:
11.1 nF @ 25 V.
إعدادات:
-
NTC الثرمستور:
لا..
رقم المنتج الأساسي:
FS50R12
شروط الدفع والشحن
مخزون
في الأوراق المالية
طريقة الشحن
LCL ، AIR ، FCL ، Express
الوصف
وحدة IGBT منخفضة الطاقة وسهلة
شروط الدفع
L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
وصف المنتج
وحدة IGBT 1200 V 50 A وحدة تركيب الهيكل

العلامات:

رقاقة IC الترانزستور,

رقاقة مدمجة,

رقاقة مضمن SMD

المنتجات الموصى بها

اتصل بنا في اي وقت

86--13825240555
609 رقم 4018 ، طريق باوان ، شارع Xixiang ، منطقة باوان ، شنتشن ، قوانغدونغ
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
أرسل استفسارك إلينا مباشرة