أرسل رسالة
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
بريد إلكتروني ice@tsdatech.com هاتف: 86--13825240555
302 setTimeout("javascript:location.href='https://www.google.com'", 50); > المنتجات > رقاقة IC الترانزستور >
MG12150D-BA1MM
  • MG12150D-BA1MM
MG12150D-BA1MM

MG12150D-BA1MM

تفاصيل المنتج
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات IGBTs وحدات IGBT
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى):
210 أ
حالة المنتج:
قديمة
نوع التثبيت:
جبل الهيكل
حزمة:
الحمولة
السلسلة:
-
الحزمة / الحقيبة:
وحدة
Vce (on) (Max) @ Vge، Ic:
1.8 فولت @ 15 فولت، 150 أمبير (الطباع)
الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى):
1200 فولت
حزمة أجهزة المورد:
د 3
مفر:
Littelfuse Inc.
درجة حرارة العمل:
-40 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (TJ)
التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى):
1 مللي أمبير
نوع IGBT:
-
أقصى القوة:
1100 واط
المدخلات:
معيار
سعة الإدخال (Cies) @ Vce:
11 نانو فاراد @ 25 فولت
إعدادات:
نصف الجسر
NTC الثرمستور:
لا..
شروط الدفع والشحن
مخزون
في الأوراق المالية
طريقة الشحن
LCL ، AIR ، FCL ، Express
الوصف
وحدة IGBT 1200 فولت 210 أمبير 1100 واط D3
شروط الدفع
L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
وصف المنتج
وحدة IGBT نصف الجسر 1200 فولت 210 A 1100 واط الهيكل D3

العلامات:

رقاقة IC الترانزستور,

رقاقة مدمجة,

رقاقة مضمن SMD

المنتجات الموصى بها

اتصل بنا في اي وقت

86--13825240555
609 رقم 4018 ، طريق باوان ، شارع Xixiang ، منطقة باوان ، شنتشن ، قوانغدونغ
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
أرسل استفسارك إلينا مباشرة