أرسل رسالة
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
بريد إلكتروني ice@tsdatech.com هاتف: 86--13825240555
302 setTimeout("javascript:location.href='https://www.google.com'", 50); > المنتجات > رقاقة IC الترانزستور >
(أبيتجيت 75 أيه 120 تي 1 جي)
  • (أبيتجيت 75 أيه 120 تي 1 جي)
(أبيتجيت 75 أيه 120 تي 1 جي)

(أبيتجيت 75 أيه 120 تي 1 جي)

تفاصيل المنتج
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات IGBTs وحدات IGBT
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى):
110 أ
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل الهيكل
حزمة:
الحمولة
السلسلة:
-
الحزمة / الحقيبة:
SP1
Vce (on) (Max) @ Vge، Ic:
2.1 فولت @ 15 فولت، 75 أمبير
الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى):
1200 فولت
حزمة أجهزة المورد:
SP1
مفر:
تقنية الرقائق الدقيقة
درجة حرارة العمل:
-40 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (TJ)
التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى):
250
نوع IGBT:
توقف حقل الخندق
أقصى القوة:
357 وات
المدخلات:
معيار
سعة الإدخال (Cies) @ Vce:
5.34 نانو فهرنهايت عند 25 فولت
إعدادات:
نصف الجسر
NTC الثرمستور:
نعم..
رقم المنتج الأساسي:
أبتجت75
شروط الدفع والشحن
مخزون
في الأوراق المالية
طريقة الشحن
LCL ، AIR ، FCL ، Express
الوصف
وحدة IGBT 1200 فولت 110 أمبير 357 وات SP1
شروط الدفع
L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
وصف المنتج
وحدة IGBT خندق الحقل وقف نصف الجسر 1200 فولت 110 A 357 واط الهيكل صعود SP1

العلامات:

رقاقة IC الترانزستور,

رقاقة مدمجة,

رقاقة مضمن SMD

المنتجات الموصى بها

اتصل بنا في اي وقت

86--13825240555
609 رقم 4018 ، طريق باوان ، شارع Xixiang ، منطقة باوان ، شنتشن ، قوانغدونغ
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
أرسل استفسارك إلينا مباشرة