أرسل رسالة
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
بريد إلكتروني ice@tsdatech.com هاتف: 86--13825240555
302 setTimeout("javascript:location.href='https://www.google.com'", 50); > المنتجات > رقاقة IC الترانزستور >
ب.إل.إف. 6 جي 20 إل إس 110112
  • ب.إل.إف. 6 جي 20 إل إس 110112
ب.إل.إف. 6 جي 20 إل إس 110112

ب.إل.إف. 6 جي 20 إل إس 110112

تفاصيل المنتج
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات FETs، MOSFETs، RF FETs، MOSFETs
حالة المنتج:
قديمة
نوع التثبيت:
جبل الهيكل
الجهد - تقييمه:
65 فولت
حزمة:
الصندوق
السلسلة:
-
الرقم الضوضاء:
-
حزمة أجهزة المورد:
SOT502B
الجهد - اختبار:
28 فولت
مفر:
Ampleon USA Inc.
تكرار:
1.93 جيجا هرتز ~ 1.99 جيجا هرتز
يكسب:
19 ديسيبل
الحزمة / الحقيبة:
سوت-502ب
الاختبار الحالي:
900 مللي أمبير
مخرج قوي:
25 واط
تكنولوجيا:
LDMOS
التصنيف الحالي (أمبير):
29 أ
رقم المنتج الأساسي:
BLF6G20
شروط الدفع والشحن
مخزون
في الأوراق المالية
طريقة الشحن
LCL ، AIR ، FCL ، Express
الوصف
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B
شروط الدفع
L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
وصف المنتج
RF Mosfet 28 فولت 900 مللي أمبير 1.93 جيجا هرتز ~ 1.99 جيجا هرتز 19dB 25 واط SOT502B

العلامات:

رقاقة IC الترانزستور,

رقاقة مدمجة,

رقاقة مضمن SMD

المنتجات الموصى بها

اتصل بنا في اي وقت

86--13825240555
609 رقم 4018 ، طريق باوان ، شارع Xixiang ، منطقة باوان ، شنتشن ، قوانغدونغ
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
أرسل استفسارك إلينا مباشرة