أرسل رسالة
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
بريد إلكتروني ice@tsdatech.com هاتف: 86--13825240555
302 setTimeout("javascript:location.href='https://www.google.com'", 50); > المنتجات > رقاقة IC الترانزستور >
NSVDTC113EM3T5G
  • NSVDTC113EM3T5G
NSVDTC113EM3T5G

NSVDTC113EM3T5G

تفاصيل المنتج
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات ثنائية القطب (BJT) الترانزستورات الثنائية القطبية الأحا
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى):
100 مللي أمبير
حالة المنتج:
نشط
نوع الترانزستور:
NPN - منحازة مسبقًا
نوع التثبيت:
جبل السطح
حزمة:
الشريط والفكرة (TR)
السلسلة:
-
Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic:
250 مللي فولت @ 5 مللي أمبير ، 10 مللي أمبير
الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى):
50 فولت
حزمة أجهزة المورد:
سوت -723
المقاوم - القاعدة (R1):
1 كيلو أوم
مفر:
نصف
المقاوم - قاعدة الباعث (R2):
1 كيلو أوم
التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى):
500nA
أقصى القوة:
260 ميغاواط
الحزمة / الحقيبة:
سوت -723
الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce:
3 @ 5 مللي أمبير، 10 فولت
رقم المنتج الأساسي:
NSVDTC113
شروط الدفع والشحن
مخزون
في الأوراق المالية
طريقة الشحن
LCL ، AIR ، FCL ، Express
الوصف
عبر NPN 50V 0.1A SOT723
شروط الدفع
L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
وصف المنتج
ترانزستور ثنائي القطب المتحيز مسبقًا (BJT) NPN - 50 V 100 mA 260 mW محيز مسبقًا سطح سطحي SOT-723

العلامات:

رقاقة IC الترانزستور,

رقاقة مدمجة,

رقاقة مضمن SMD

المنتجات الموصى بها

اتصل بنا في اي وقت

86--13825240555
609 رقم 4018 ، طريق باوان ، شارع Xixiang ، منطقة باوان ، شنتشن ، قوانغدونغ
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
أرسل استفسارك إلينا مباشرة