أرسل رسالة
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
بريد إلكتروني ice@tsdatech.com هاتف: 86--13825240555
302 setTimeout("javascript:location.href='https://www.google.com'", 50); > المنتجات > رقاقة IC الترانزستور >
أبتجV50H120T3G
  • أبتجV50H120T3G
أبتجV50H120T3G

أبتجV50H120T3G

تفاصيل المنتج
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات IGBTs وحدات IGBT
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى):
75 أ
حالة المنتج:
قديمة
نوع التثبيت:
جبل الهيكل
الحزمة:
الحمولة
السلسلة:
-
الحزمة / الحقيبة:
SP3
Vce (on) (Max) @ Vge، Ic:
2.1 فولت @ 15 فولت ، 50 أمبير
الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى):
1200 فولت
حزمة أجهزة المورد:
SP3
مفر:
شركة Microsemi
درجة حرارة العمل:
-
التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى):
250
نوع IGBT:
NPT، توقف حقل الخندق
أقصى القوة:
270 واط
المدخلات:
معيار
سعة الإدخال (Cies) @ Vce:
3.6 نانو فهرنهايت @ 25 فولت
إعدادات:
العاكس جسر كامل
NTC الثرمستور:
نعم..
شروط الدفع والشحن
الوصف
وحدة IGBT 1200 فولت 75 أمبير 270 وات SP3
وصف المنتج
وحدة IGBT NPT ، محطة خندق Field Stop Full Bridge Inverter 1200 V 75 A 270 W الدفاع عن الجهاز SP3

العلامات:

رقاقة IC الترانزستور,

رقاقة مدمجة,

رقاقة مضمن SMD

المنتجات الموصى بها

اتصل بنا في اي وقت

86--13825240555
609 رقم 4018 ، طريق باوان ، شارع Xixiang ، منطقة باوان ، شنتشن ، قوانغدونغ
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
أرسل استفسارك إلينا مباشرة