أرسل رسالة
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
بريد إلكتروني ice@tsdatech.com هاتف: 86--13825240555
302 setTimeout("javascript:location.href='https://www.google.com'", 50); > المنتجات > رقاقة IC الترانزستور >
FS75R07U1E4BPSA1
  • FS75R07U1E4BPSA1
FS75R07U1E4BPSA1

FS75R07U1E4BPSA1

تفاصيل المنتج
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات IGBTs وحدات IGBT
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى):
100 أ
حالة المنتج:
ليس من أجل التصاميم الجديدة
نوع التثبيت:
جبل الهيكل
الحزمة:
الصندوق
السلسلة:
سمارتباك1
الحزمة / الحقيبة:
وحدة
Vce (on) (Max) @ Vge، Ic:
1.95 فولت @ 15 فولت، 75 أمبير
الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى):
650 فولت
حزمة أجهزة المورد:
وحدة
مفر:
تقنيات إنفينيون
درجة حرارة العمل:
-40 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية
التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى):
1 مللي أمبير
نوع IGBT:
توقف حقل الخندق
أقصى القوة:
275 واط
المدخلات:
معيار
سعة الإدخال (Cies) @ Vce:
4.6 نانو فهرنهايت @ 25 فولت
إعدادات:
جسر كامل
NTC الثرمستور:
نعم..
رقم المنتج الأساسي:
FS75R07
شروط الدفع والشحن
الوصف
IGBT وزارة الدفاع 650 فولت 100 أمبير 275 واط
وصف المنتج
وحدة IGBT خندق المجال وقف الجسر الكامل 650 فولت 100 A 275 واط وحدة تركيب الهيكل

العلامات:

رقاقة IC الترانزستور,

رقاقة مدمجة,

رقاقة مضمن SMD

المنتجات الموصى بها

اتصل بنا في اي وقت

86--13825240555
609 رقم 4018 ، طريق باوان ، شارع Xixiang ، منطقة باوان ، شنتشن ، قوانغدونغ
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
أرسل استفسارك إلينا مباشرة