أرسل رسالة
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
بريد إلكتروني ice@tsdatech.com هاتف: 86--13825240555
302 setTimeout("javascript:location.href='https://www.google.com'", 50); > المنتجات > رقاقة IC الترانزستور >
أبتجل475A120D3G
  • أبتجل475A120D3G
أبتجل475A120D3G

أبتجل475A120D3G

تفاصيل المنتج
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات IGBTs وحدات IGBT
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى):
610 أ
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل الهيكل
الحزمة:
الحمولة
السلسلة:
-
الحزمة / الحقيبة:
وحدة D-3
Vce (on) (Max) @ Vge، Ic:
2.2 فولت @ 15 فولت، 400 أمبير
الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى):
1200 فولت
حزمة أجهزة المورد:
د 3
مفر:
تقنية الرقائق الدقيقة
درجة حرارة العمل:
-40 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية (TJ)
التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى):
5 مللي أمبير
نوع IGBT:
توقف حقل الخندق
أقصى القوة:
2080 واط
المدخلات:
معيار
سعة الإدخال (Cies) @ Vce:
24.6 نانو فهرنهايت @ 25 فولت
إعدادات:
نصف الجسر
NTC الثرمستور:
لا..
رقم المنتج الأساسي:
أبتجل475
شروط الدفع والشحن
الوصف
وحدة IGBT 1200 فولت 610 أمبير 2080 وات D3
وصف المنتج
وحدة IGBT خندق المجال وقف نصف الجسر 1200 فولت 610 A 2080 واط الهيكل جبل D3

العلامات:

رقاقة IC الترانزستور,

رقاقة مدمجة,

رقاقة مضمن SMD

المنتجات الموصى بها

اتصل بنا في اي وقت

86--13825240555
609 رقم 4018 ، طريق باوان ، شارع Xixiang ، منطقة باوان ، شنتشن ، قوانغدونغ
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
أرسل استفسارك إلينا مباشرة