أرسل رسالة
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
بريد إلكتروني ice@tsdatech.com هاتف: 86--13825240555
302 setTimeout("javascript:location.href='https://www.google.com'", 50); > المنتجات > رقاقة IC الترانزستور >
DF1000R17IE4DB2BOSA1
  • DF1000R17IE4DB2BOSA1
DF1000R17IE4DB2BOSA1

DF1000R17IE4DB2BOSA1

تفاصيل المنتج
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات IGBTs وحدات IGBT
التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى):
5 مللي أمبير
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل الهيكل
الحزمة:
الصندوق
السلسلة:
برايمباك™3
Vce (on) (Max) @ Vge، Ic:
2.45 فولت @ 15 فولت، 1000 أمبير
الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى):
1700 فولت
حزمة أجهزة المورد:
وحدة
مفر:
تقنيات إنفينيون
درجة حرارة العمل:
-40 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية
أقصى القوة:
6250 واط
نوع IGBT:
-
الحزمة / الحقيبة:
وحدة
المدخلات:
معيار
سعة الإدخال (Cies) @ Vce:
81 نانو فهرنهايت @ 25 فولت
إعدادات:
أعزب
NTC الثرمستور:
نعم..
رقم المنتج الأساسي:
DF1000
شروط الدفع والشحن
الوصف
وحدة IGBT 1700 فولت 6250 واط
وصف المنتج
وحدة IGBT الوحيدة 1700 فولت 6250 واط وحدة تركيب الهيكل

العلامات:

رقاقة IC الترانزستور,

رقاقة مدمجة,

رقاقة مضمن SMD

المنتجات الموصى بها

اتصل بنا في اي وقت

86--13825240555
609 رقم 4018 ، طريق باوان ، شارع Xixiang ، منطقة باوان ، شنتشن ، قوانغدونغ
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
أرسل استفسارك إلينا مباشرة