أرسل رسالة
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
بريد إلكتروني ice@tsdatech.com هاتف: 86--13825240555
302 setTimeout("javascript:location.href='https://www.google.com'", 50); > المنتجات > رقاقة IC الترانزستور >
(أبت 50 جيه إف 120 جيه آر دي)
  • (أبت 50 جيه إف 120 جيه آر دي)
(أبت 50 جيه إف 120 جيه آر دي)

(أبت 50 جيه إف 120 جيه آر دي)

تفاصيل المنتج
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات IGBTs وحدات IGBT
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى):
75 أ
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل الهيكل
الحزمة:
أنبوب
السلسلة:
-
الحزمة / الحقيبة:
SOT-227-4 ، miniBLOC
Vce (on) (Max) @ Vge، Ic:
3.4 فولت @ 15 فولت، 50 أمبير
الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى):
1200 فولت
حزمة أجهزة المورد:
SOT-227 (ISOTOP®)
مفر:
تقنية الرقائق الدقيقة
درجة حرارة العمل:
-55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (TJ)
التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى):
750
نوع IGBT:
-
أقصى القوة:
460 واط
المدخلات:
معيار
سعة الإدخال (Cies) @ Vce:
3.45 نانو فهرنهايت عند 25 فولت
إعدادات:
أعزب
NTC الثرمستور:
لا..
رقم المنتج الأساسي:
أبت50
شروط الدفع والشحن
الوصف
IGBT NPT كومبي 1200 فولت 50 أمبير أيزوتوب
وصف المنتج
وحدة IGBT واحدة 1200 فولت 75 A 460 واط الهيكل SOT-227 (ISOTOP®)

العلامات:

رقاقة IC الترانزستور,

رقاقة مدمجة,

رقاقة مضمن SMD

المنتجات الموصى بها

اتصل بنا في اي وقت

86--13825240555
609 رقم 4018 ، طريق باوان ، شارع Xixiang ، منطقة باوان ، شنتشن ، قوانغدونغ
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
أرسل استفسارك إلينا مباشرة