أرسل رسالة
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
بريد إلكتروني ice@tsdatech.com هاتف: 86--13825240555
302 setTimeout("javascript:location.href='https://www.google.com'", 50); > المنتجات > رقاقة IC الترانزستور >
MIP75R12E2ATN-BP
  • MIP75R12E2ATN-BP
MIP75R12E2ATN-BP

MIP75R12E2ATN-BP

تفاصيل المنتج
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات IGBTs وحدات IGBT
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى):
75 أ
حالة المنتج:
نشط
نوع التثبيت:
جبل الهيكل
الحزمة:
الحمولة
السلسلة:
-
الحزمة / الحقيبة:
وحدة
Vce (on) (Max) @ Vge، Ic:
2.15 فولت @ 15 فولت، 75 أمبير
الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى):
1200 فولت
حزمة أجهزة المورد:
E2A
مفر:
شركة مايكرو التجارية
درجة حرارة العمل:
-40 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (TJ)
التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى):
1 مللي أمبير
نوع IGBT:
-
أقصى القوة:
476 واط
المدخلات:
مقوم جسر ثلاثي الطور
سعة الإدخال (Cies) @ Vce:
4.2 نانو فاراد عند 25 فولت
إعدادات:
ثلاث مراحل العاكس
NTC الثرمستور:
نعم..
رقم المنتج الأساسي:
إم آي بي 75
شروط الدفع والشحن
الوصف
وحدات IGBT 1200 فولت 75 أمبير، E2A
وصف المنتج
وحدة IGBT محول ثلاثي المراحل 1200 فولت 75 A 476 واط الهيكل E2A

العلامات:

رقاقة IC الترانزستور,

رقاقة مدمجة,

رقاقة مضمن SMD

المنتجات الموصى بها

اتصل بنا في اي وقت

86--13825240555
609 رقم 4018 ، طريق باوان ، شارع Xixiang ، منطقة باوان ، شنتشن ، قوانغدونغ
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
أرسل استفسارك إلينا مباشرة